長晶原理 | 合法醫療器材資訊網
所謂的磊晶矽晶圓片(EpitaxialWafer)是指在一拋光晶圓片(在此稱為基板,英文...阻抗之單晶成長;可進行不同型式的磊晶成長(N型orP型);可得到比液相長晶法更好 ...,由陳彥志著作·2012—單晶矽由特定.的晶體生長法而得,再經製程加工變成矽晶圓,目前最常用的晶體生.長法為柴氏單晶生長法(Czochralskisinglecrystalgrowthmethod)。由.於電子 ...,,單晶矽晶棒(ingot)的.製作.•CZ法(Czochralski法,柴式.法(.法柴式.長晶法).•FZ法(FloatingZone法,浮融.長晶法) ...,當矽完全熔化時,末端裝有晶種的棒被緩慢地下放到熔融狀態的矽中。...
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Epitaxial Wafer | 合法醫療器材資訊網
所謂的磊晶矽晶圓片(Epitaxial Wafer)是指在一拋光晶圓片(在此稱為基板,英文 ... 阻抗之單晶成長; 可進行不同型式的磊晶成長(N型or P型); 可得到比液相長晶法更好 ... Read More
數值模擬柴氏長晶法之熱流場與氧濃度分佈 | 合法醫療器材資訊網
由 陳彥志 著作 · 2012 — 單晶矽由特定. 的晶體生長法而得,再經製程加工變成矽晶圓,目前最常用的晶體生. 長法為柴氏單晶生長法(Czochralski single crystal growth method)。由. 於電子 ... Read More
晶圓 | 合法醫療器材資訊網
晶圓的製作 | 合法醫療器材資訊網
單晶矽晶棒(ingot)的. 製作. • CZ 法(Czochralski 法,柴式. 法(. 法柴式. 長晶法). • FZ 法(Floating Zone 法,浮融. 長晶法) ... Read More
柴可拉斯基法 | 合法醫療器材資訊網
當矽完全熔化時,末端裝有晶種的棒被緩慢地下放到熔融狀態的矽中。棒以逆時針方向旋轉,坩堝以順時針方向旋轉。隨後,旋轉的棒被極慢地向上提升,這樣,近似 ... Read More
磊晶(晶體) | 合法醫療器材資訊網
磊晶(英語:Epitaxy),是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長(Epitaxial Growth),或 ... Read More
第二十三章半導體製造概論 | 合法醫療器材資訊網
二、晶圓製造(Wafer manufacture). (一)長晶(CRYSTAL GROWTH). 長晶是從矽砂中(二氧化矽)提煉成單晶矽,其製造過程是將矽石(Silica)或矽酸鹽 ... Read More
長晶過程生長異常,如何找出異常振動源? | 合法醫療器材資訊網
影響晶種生成品質因素很多,單晶矽圓片由普通矽砂拉製柴可拉斯基法將此多晶矽熔解,再於溶液內摻入一小粒的矽晶體晶種,然後將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單 ... Read More
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【矽塊】許可證字號:衛署醫器輸字第003838號
器材品名:矽塊許可證字號:衛署醫器輸字第003838號註銷狀態:已註銷註銷日期:1999/11/01註銷理由:未展延而逾期者;;改列無須辦...