高溫快速熱退火技術於AM | 合法醫療器材資訊網
2008年2月22日—ELA原理先利用PECVD方式沉積低氫含量a-Si薄膜,再以400℃~500℃溫度作去氫動作,去氫完成後以準分子雷射為主要動力能量,利用瞬間雷射脈 ...
在目前製作低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS-TFT)元件當中,多晶矽薄膜的製作技術以準分子雷射退火最為廣泛的使用。準分子雷射退火所形成多晶矽薄膜,應用在薄膜電晶體液晶顯示器上具有非常優越之性能;但是應用在主動式矩陣有機發光顯示器上,則會因準分子雷射退火每一發掃瞄功率的不穩定,其所形成的多晶矽晶薄膜結晶晶粒尺寸大小的不均勻與晶粒邊界數量不一致等問題,使得電晶體元件在電性上產生不穩定,進而造成畫面顯示的異常與不均勻。而利用高溫快速熱退火方式所生成多晶矽薄膜,其結晶晶粒尺寸較準分子雷射退火方式來的均勻,且同時具有接近的結晶晶粒尺寸,快速高溫熱退火方式所生成多晶矽薄膜應用在AM-OLED TFT-Array背板上,具有優越的電器特性與均勻性的表現,所以顯示器可以達到完全沒有顯示畫面不均勻的現象發生。
準分子雷射與高溫快速熱退火技術的優劣 主動式有機發光顯示器(AM-OLED)除了發光材料和製程技術的開發之外,在大尺寸AM-OLED顯示器上仍需要薄膜電晶體(Thin film Transistor, TFT)背板與驅動電路,用來作為TFT背板的技術,基本上可為a-Si-TFT或是LTPS–TFT。多晶矽薄膜(Poly-Silicon, p-Si)是一種晶粒尺寸約為0.1μm至數個μm大小,以矽為基底的材料,由許多矽粒子組合而成,具有單晶矽材料的高載子遷移率30~200(cm /VS)、較低的Vth與較高電性穩定度,因此可以提供較大電流來驅動AM-OLED,且同時具有非晶矽材料可大面積化、低成本製備的優點。
目前在低溫複晶矽(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)TFT元件中,p-Si製程的方法,廣範使用且已經產業化的是準分子雷射退火(Excimer-Laser Annealing, ELA)方式,利用準分子雷射作為熱源,雷射光經過投射光學系統後,雷射光束投射於a-Si的結構上;當a-Si結構吸收準分子雷射的能量後,經由融化、冷卻、凝固再結晶等步驟後會轉變成為p-Si結構。然而準分子雷射退火所形成之p-Si晶粒會大小不均勻與晶粒邊界數量不一致,以及p-Si在結晶過程中由成核點...
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【準分子/鈥雷射儀】許可證字號:衛署醫器輸字第007905號
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