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近代的高效能半導體雷射絕大多數使用量子井結構的磊晶層,也就是在化合物半導體...如材料元素的成分比例、厚度、雜質摻雜比例、光學折射率、後續製程所需的 ...
元件開發能力 量子井雷射結構開發一個優良的雷射元件始於磊晶層結構的設計。近代的高效能半導體雷射絕大多數使用量子井結構的磊晶層,也就是在化合物半導體基板(如砷化鎵)上均勻地成長非常多層不同的半導體材料,厚度僅有數奈米左右。藉由這些不同成分半導體在光電特性上的搭配,而產生所需的雷射光。
量子井磊晶結構的設計需要考量非常多的層面。如材料元素的成分比例、厚度、雜質摻雜比例、光學折射率、後續製程所需的化學特性搭配等等,在在影響最終元件的特性表現與品質。本公司的元件研發團隊結合國內外專精半導體雷射領域的研究人員,從結構設計、磊晶成長,到分析模擬等均擁有多年經驗,並長期與國內頂尖研究機構合作,領先國內業界建立自主的雷射元件技術。
先進雷射二極體製程技術除磊晶結構外,完成一完整的雷射仍須在磊晶片上製作出數微米左右的光波導共振腔,以及高精密度的封裝。本公司使用如次微米微影、乾濕式蝕刻、高溫擴散、金屬鍍膜、光學鍍膜、晶片劈裂等先進設備,產製半導體雷射所需之光波導與光學共振腔結構。
雷射二極體的封裝,首重散熱的有效性與光學的精密性。由於雷射的產生常伴隨著高熱,因此散熱材料的搭配與晶粒固著條件決定了原始設計的性能是否能有效的展現。再者,雷射光的行進有方向性,為了與客戶所使用的光學系統良好配搭,雷射晶粒在封裝座上的位置精準度要求非常高。本公司率先引進日系全自動雷射封裝專用設備,一舉提高國內雷射二極體的製造水平,獲得世界一流大廠肯定與長期合作關係。
雷射元件評價與測試雷射二極體的應用面廣泛,對性能與信賴性要求有很大的差異。本公司為因應各種環測要求,建置了各式評價測試儀器,如精密恆溫恆濕老化設備、高速脈衝測試儀、光學像差測量儀、近遠場光學量測儀等等,確保所開發的元件完全符合客戶應用所需。
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